工業(yè)氣體在標(biāo)準(zhǔn)《常用危險(xiǎn)化學(xué)品的分類(lèi)及標(biāo)志》（GB13690-1992）中，通常被劃為第2類(lèi)壓縮氣體和液化氣體。這類(lèi)化學(xué)品系指壓縮、液化或加壓溶解的氣體。氣體經(jīng)加壓或低溫度，可以使氣體分子間的距離大大縮小而被壓入鋼瓶中，這種氣體稱(chēng)為壓縮氣體（如氧氣、氮?dú)?、氬氣、氫氣等）。?duì)壓縮氣體繼續(xù)加壓，適當(dāng)降溫，壓縮氣體就會(huì)變成液體的，稱(chēng)為液化氣體（如液氯、液氨、液體二氧化碳等）。此外，還有一種性質(zhì)極為不穩(wěn)定的氣體，加壓后需溶于溶劑中儲(chǔ)存在鋼瓶?jī)?nèi)，這種氣體稱(chēng)為溶解氣體（如溶解乙炔等）。

　　具體來(lái)說(shuō)工業(yè)氣體可分為以下14種：

　　1.特種氣體(Specialtygases)：

　　指那些在特定領(lǐng)域中應(yīng)用的,對(duì)氣體有特殊要求的純氣、高純氣或由高純單質(zhì)氣體配制的二元或多元混合氣。特種氣體門(mén)類(lèi)繁多,通常可區(qū)分為電子氣體、標(biāo)準(zhǔn)氣、環(huán)保氣、醫(yī)用氣、焊接氣等,廣泛用于電子、電力、石油化工、采礦、鋼鐵、有色金屬冶煉、熱力工程、生化、環(huán)境監(jiān)測(cè)、醫(yī)學(xué)研究及診斷、食品保鮮等領(lǐng)域。

　　2、標(biāo)準(zhǔn)氣體(Standardgases)：

　　標(biāo)準(zhǔn)氣體屬于標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)。標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)是高度均勻的、良好穩(wěn)定和量值準(zhǔn)確的測(cè)定標(biāo)準(zhǔn),它們具有復(fù)現(xiàn)、保存和傳遞量值的基本作用,在物理、化學(xué)、生物與工程測(cè)量領(lǐng)域中用于校對(duì)([準(zhǔn)測(cè)量?jī)x器和測(cè)量過(guò)程,評(píng)價(jià)測(cè)量方法的準(zhǔn)確度和實(shí)驗(yàn)室的能力,確定材料或產(chǎn)品的特性量值,進(jìn)行量值仲裁等。大型乙烯廠、合成氨廠及其它石化企業(yè),在裝置開(kāi)車(chē)、停車(chē)和正常生產(chǎn)過(guò)程中需要幾十種純氣和幾+百種多組分標(biāo)準(zhǔn)混合氣,用來(lái)校準(zhǔn)、定標(biāo)生產(chǎn)過(guò)程中使用的在線分析儀器和分析原料及產(chǎn)品質(zhì)量的儀器。標(biāo)準(zhǔn)氣還可用于環(huán)境監(jiān)測(cè),有毒的物測(cè)量,汽車(chē)排放氣測(cè)試,天然氣BTU測(cè)量,液化石油氣校正標(biāo)準(zhǔn),超臨界流體工藝等。標(biāo)準(zhǔn)氣視氣體組分?jǐn)?shù)區(qū)分為二元、三元和多元標(biāo)準(zhǔn)氣體;配氣準(zhǔn)度要求以配氣允差和分析允差來(lái)表征;比較通用的有SE2MI配氣允差標(biāo)準(zhǔn),但各公司均有企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。組分的低濃度為10-6級(jí),組分?jǐn)?shù)可多達(dá)20余種配制方法可采用重量法,然后用色譜分析校核,也可按標(biāo)準(zhǔn)傳遞程序進(jìn)行傳遞。

　　3、電子氣體(Electronicgases)：

　　半導(dǎo)體工業(yè)用的氣體統(tǒng)稱(chēng)電子氣體。按其門(mén)類(lèi)可分為純氣、高純氣和半導(dǎo)體特殊材料氣體三大類(lèi)。特殊材料氣體主要用于外延、摻雜和蝕刻工藝；高純氣體主要用作稀釋氣和運(yùn)載氣。電子氣體是特種氣體的一個(gè)重要分支。電子氣體按純度等級(jí)和使用場(chǎng)合，可分為電子級(jí)、LSI(大規(guī)模集成電路)級(jí)、VLSI(超大規(guī)模集成電路)級(jí)和ULSI(特大規(guī)模集成電路)級(jí)。

　　4.外延氣體(Cpitaxialgases)：

　　在仔細(xì)選擇的襯底上采用化學(xué)氣相淀積(CVD)的方法生長(zhǎng)一層或多層材料所用氣體稱(chēng)為外延氣體。硅外延氣體有4種,即硅烷、二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀積,多晶硅淀積,淀積氧化硅膜,淀積氮化硅膜,太陽(yáng)電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積。外延生長(zhǎng)是一種單晶材料淀積并生長(zhǎng)在襯底表面上的過(guò)程。此外延層的電阻率往往與襯底不同。

　　5.蝕刻氣體(Etchinggases)：

　　蝕刻就是把基片上無(wú)光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉,而使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來(lái),這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是,圖形邊緣整齊,線條清晰,圖形變換差小,且對(duì)光刻膠膜及其掩蔽保護(hù)的表面無(wú)損傷和鉆蝕。蝕刻方式有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱(chēng)蝕刻氣體,通常多為氟化物氣體,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蝕刻由于蝕刻方向性強(qiáng)、工藝控制準(zhǔn)確、方便、無(wú)脫膠現(xiàn)象、無(wú)基片損傷和沾污,所以其應(yīng)用范圍日益廣泛。

　　6.摻雜氣體(DopantGases)：

　　在半導(dǎo)體器件和集成電路制造中,將某種或某些雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體材料內(nèi),以使材料具有所需要的導(dǎo)電類(lèi)型和一定的電阻率,用來(lái)制造PN結(jié)、電阻、埋層等。摻雜工藝所用的氣體摻雜源被稱(chēng)為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常將摻雜源與運(yùn)載氣體(如氬氣和氮?dú)?在源柜中混合,混合后氣流連續(xù)流入擴(kuò)散爐內(nèi)環(huán)繞晶片四周,在晶片表面沉積上化合物摻雜劑,進(jìn)而與硅反應(yīng)生成摻雜金屬而徙動(dòng)進(jìn)入硅。